在股市炒股的人们,时常对于股票走势非常关注,但是并不清楚如何分析,如果你也在思考这个问题,不如来看一下小编为大家整理的《异质结》相关内容,希望能够帮到你
1、同质结就是同一种半导体形成的结,包括pn结、pp结、nn结。
2、异质结是一种特殊的PN结,由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成,这些材料具有不同的能带隙,它们可以是砷化镓之类的化合物,也可以是硅-锗之类的半导体合金。
半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外,通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙,可以改变二极管电流与电压的响应参数。半导体异质结构对半导体技术具有重大影响,是高频晶体管和光电子器件的关键成分。
扩展资料
异质结构双极晶体管——
在半导体异质结构中,中间层有较低的能带,因此电子很容易就由旁边的夹层注入,是故在晶体管中由射极经过基极到集极的电流,就可以大为提高,晶体管的放大倍率也为之增加;同时基极的厚度可以减小,其掺杂浓度可以增加,因而反应速率变大,所以异质结构得以制作快速晶体管。
利用半导体异质结构作成晶体管的建议与其特性分析,是由克接拉姆在1957提出的。半导体异质结构双极晶体管因具有快速、高放大倍率的优点,因而广泛应用于人造卫星通讯或是行动电话等。
异质结,两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同,异质结可分为同型异质结(P-p结或N-n结)和异型异质(P-n或p-N)结,多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是:两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术,都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性,使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成,它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物,也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种,两种异质结的能带结构
异质结图册
,I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的导带底和价带顶都位于宽带材料的禁带中,ΔEc和ΔEv的符号相反,GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP都属于这一种。在Ⅱ型异质结中,ΔEc和ΔEv的符号相同。具体又可以分为两种:一种所示的交错式对准,窄带材料的导带底位于宽带材料的禁带中,窄带材料的价带顶位于宽带材料的价带中。另一种如图1(c)所示窄带材料的导带底和价带顶都位于宽带材料的价带中
Ⅱ型异质结的基本特性是在交界面附近电子和空穴空间的分隔和在自洽量子阱中的局域化。由于在界面附近波函数的交叠,导致光学矩阵元的减少,从而使辐射寿命加长,激子束缚能减少。由于光强和外加电场会强烈影响Ⅱ型异质结的特性,使得与Ⅰ型异质结相比,Ⅱ型异质结表现出不寻常的载流子的动力学和复合特性,从而影响其电学、光学和光电特性及其器件的参数。
看完本篇文章《异质结》,希望对你有所帮助,最后提醒大家,股市市场有风险,投资需谨慎。
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